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DMP2066LSS-13  与  BSO201SP H  区别

型号 DMP2066LSS-13 BSO201SP H
唯样编号 A36-DMP2066LSS-13-1 A-BSO201SP H
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,4.5V 6.7mΩ
上升时间 - 99ns
Qg-栅极电荷 - -88nC
栅极电压Vgs ±12V 12V
正向跨导 - 最小值 - 40S
封装/外壳 SOP -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A 14.9A
配置 - Single
长度 - 4.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 - 162ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 9600pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
FET类型 P-Channel P-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOSP
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 820pF @ 15V -
典型接通延迟时间 - 21ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 88nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,004 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.133
100+ :  ¥0.869
1,250+ :  ¥0.737
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2066LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 40mΩ@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 20V 6.5A

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.869
1,250: ¥0.737
2,004 当前型号
BSO201SPHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO201SP H_P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSO201SP H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO201SPHXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 20V 14.9A 6.7mΩ 12V 2.5W P-Channel

暂无价格 0 对比
IRF7404PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-20V SO-8 P-Channel 12V -5.4A 60mΩ

暂无价格 0 对比

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